รายละเอียดโครงการวิจัย

 
 
: หน้าหลัก --> วิจัย --> รายละเอียด --> รายละเอียดงานวิจัย

เรื่อง :
  โครงสร้างนาโนของสารประกอบกึ่งตัวนำหมู่สาม-ห้าบนแผ่นฐานเจอร์เมเนียม
ผู้ทำวิจัย :
หัวหน้าโครงการ: สุวิทย์ กิระวิทยา   [100.00%] [ 180,000 บาท ตามสัดส่วน ]

สถานะการทำวิจัย :
 เสร็จสิ้น
สถานะทางการเงิน :
 เบิกเงินงวดที่ 3
ประเภทของการวิจัย :
 พื้นฐาน
แหล่งเงินทุน :
 งบประมาณรายได้ 180,000 บาท
ระยะเวลา :
 1 ตุลาคม 2556 - 30 กันยายน 2557

ผลงานวิจัยเผยแพร่ ประเภทนำเสนอในที่ประชุมวิชาการ

ที่ ชื่อ ชื่อบทความ ชื่อการประชุม ปี สถานที่จัด หมายเหตุ
1 สุวิทย์ กิระวิทยา
 Electronic Structure Calculation of GaSb/GaAs Quantum Dot  Proceedings of the International Electrical Engineering Congress 2014  2014 ชลบุรี   

ผลงานวิจัยเผยแพร่ ประเภทวารสาร

ที่ ชื่อ ชื่อบทความ ชื่อวารสาร Vol Issue Page Impact factor หมายเหตุ
1 S Filipe Covre da Silva, E M Lani, V de Araujo Barboza, A Malachias, S Kiravittaya and Ch Deneke. InAs migration on released, wrinkled InGaAs membranes used as virtual substrate  Nanotechnology 25 - 3.6720/2013    
1 Jens Trommer,Stefan Bottner,Shilong Li,Suwit KiravittayaMatthew R.Jorgensen, and Oliver G.Schjmidt. Opservation of higher order radial modes in atomic layer deposition reinforced rolled-up microtube ring resonators  Optics Letters 39 6335 3.3850/2013    
1 Zon, Thanavorn Poempool, Suwit Kiravittaya, Suwat Sopitpan, Supachok Thainoi, Songphol Kanjanachuchai, Somchai Ratanathammaphan, Somsak Panyakeow Morphology of Self-Assembled InSb/GaAs Quantum Dots on Ge Substrate  Journal of Crystal Growth 468 541 1.4620/2015    
1 Zon, Pakawat Phienlumlert, Supachok Thainoi, Suwit Kiravittaya,Aniwat Tandaechanurat, Noppadon Nuntawong, Suwat Sopitpan, Visittapong Yordsri,Chanchana Thanachayanont, Songphol Kanjanachuchai, Somchai Ratanathammaphan,Somsak Panyakeow,Yasutomo Ota, Satoshi Iwamoto, and Yasuhiko Arakawa Growth-Rate-Dependent Properties of GaSb/GaAsQuantum Dots on (001) Ge Substrate by MolecularBeam Epitaxy  Physica Status Solidi (A) Applications and Matrials 216 1 1800499 (1 /2018    
blank