  |
|
เรื่อง : |
การศึกษาสมบัติทางแสงของโครงสร้างนาโนของสารประกอบกึ่งตัวนำที่มีพลวงเป็นส่วนประกอบหลัก |
ผู้ทำวิจัย : |
หัวหน้าโครงการ:
สุวิทย์ กิระวิทยา
[100.00%]
[ 180,000 บาท ตามสัดส่วน ]
|
สถานะการทำวิจัย : |
เสร็จสิ้น
|
สถานะทางการเงิน : |
เบิกเงินงวดที่ 3
|
ประเภทของการวิจัย : |
ประยุกต์ |
แหล่งเงินทุน : |
งบประมาณรายได้ 180,000 บาท
|
ระยะเวลา : |
1 เมษายน 2558 - 31 มีนาคม 2559 |
ผลงานวิจัยเผยแพร่ ประเภทวารสาร
ที่ |
ชื่อ |
ชื่อบทความ |
ชื่อวารสาร |
Vol |
Issue |
Page |
Impact factor |
หมายเหตุ |
1 |
Kamonchanok Khoklang,Suwit Kiravittaya, Maetee Kunrugsa, Patchareewan Prongjit,Supachok Thainoi,Somchai Ratanathammaphan,Somsak Panykeow. |
Molecular beam epitaxial growth of GaSb quantum dots on(0.01) GaAs substrate with inGaAs insertion layer  |
Journal of Crystal Growth |
|
|
291-294 |
1.693/2015  |
|
1 |
Saichon Sriphan,Suwit Kirawittaya,Supachok Thainoi and Somsak Panyakeow
|
Effects of Temperature on I-V Characteristics of InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells  |
Advanced Materials Research |
1103 |
|
129-135 |
/2015  |
|
ผลงานวิจัยเผยแพร่ ประเภทนำเสนอในที่ประชุมวิชาการ
ที่ |
ชื่อ |
ชื่อบทความ |
ชื่อการประชุม |
ปี |
สถานที่จัด |
หมายเหตุ |
1 |
สุวิทย์ กิระวิทยา
|
Electrical Characteristics of LEDs for Visible Light Communication |
การประชุมวิชาการทางวิศวกรรมไฟฟ้า ครั้งที่ 38 |
2015 |
ม.หอการค้าไทย |
|
1 |
สุวิทย์ กิระวิทยา ไพศาล มุณีสว่าง
|
การต่อภาพถ่ายเอกซเรย์เซอร์กิตเบรกเกอร์กำลังแรงดันสูงด้วยวิธีการประมวลผลภาพดิจิทัล( X-ray Image Stitching of High-Voltage Circuit Breaker by Digital Image Processing) |
การประชุมวิชาการทางวิศวกรรมไฟฟ้า ครั้งที่ 38 |
2015 |
ม.หอการค้าไทย |
|
1 |
สุวิทย์ กิระวิทยา
|
ผลกระทบของจำนวนโฟตอนที่สูงเกินไปต่อระบบสื่อสารทางแสงเชิงควอนตัม |
การประชุมวิชาการทางวิศวกรรมไฟฟ้า ครั้งที่ 38 |
2015 |
ม.หอการค้าไทย |
|
1 |
สุวิทย์ กิระวิทยา
|
Virtual Acceleration of Sensor Response by a Prediction Model: A Case Study on pH Sensor |
International Conference on Embedded Systems and Intelligent Technology |
2015 |
พิษณุโลก ประเทศไทย |
|
1 |
สุวิทย์ กิระวิทยา
|
In-mole-fraction of InGaAs insertion layers effects on the structural and optical properties of GaSb quantum dots grown on (100) GaAs substrate |
Electrical Engineering/Electronics, Computer, Telecommunications and Information Technology (ECTI-CON), 2015 12th International Conference on |
2015 |
Hua Hin |
|
1 |
Supachok Thainoi,Suwit Kiravittaya, Thanavorn Poempool, Zon, Suwat Sopitpan, Songphol Kanjanachuchai, Somchai Ratanathammaphan, Somsak Panyakeow. |
Growth of Truncated Pyramidal InSb Nanostructures on GaAs Substrate  |
Journal of Crystal Growth |
468 |
|
737-739 |
1.4620/2015  |
|
1 |
Suwit Kiravittaya, Kamonchanok Khoklang, Supachok Thainoi, Somsak Panyakeow and Somchai Ratanathammaphan. |
In-mole-fraction of InGaAs Insertion Layers Effects on the Structural and Optical Properties of GaSb Quantum Dots Grown on(001) GaAs Substrate  |
The ECTI TRANSACTIONS ON COMPUTER AND INFORMATION TECHNOLOGY (ECTI-CIT) |
10 |
2 |
129-135 |
0.024/2015  |
|
1 |
Phisut Narabadeesuphakorn, Jirayu Supasil, Supachok Thainoi, Aniwat Tandaechanurat,Suwit Kiravittaya,Noppadon Nuntawong,Suwat Sopitopan,Songphol Kanjanachuchai,Somchai Ratanathammaphan and Somsak Pinyakeow |
Growth control of Twin InSb/GaAs Nano-Stripes by Molecular Beam Epitaxy  |
MRS Advances |
2 |
51 |
2943 |
/-543 |
|
1 |
Phisut Narabadeesuphakorn, Supachok Thainoi, Aniwat Tandaechanurat, Suwit Kiravittaya, Noppadon Nuntawong, Suwat Sopitopan, Visittapong Yordsri, Chanchana Thanachayanont, Songphol Kanjanachuchai, Somchai Ratanathammaphan, and Somsak Panyakeow |
Twin InSb/GaAs quantum nano-stripes: Growth optimization and related properties  |
Journal of Crystal Growth |
487 |
|
40-44 |
/2018 |
|
|
|